电源管理IC F1001C的资料参数
型号: F1001C
封装:
品牌: POLYFET[Polyfet Devices]
脚位:
功能描述: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR
温度: Min °C | Max °C
型号: F1001C
封装:
品牌: POLYFET[Polyfet Devices]
脚位:
功能描述: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR
温度: Min °C | Max °C